Numéro de produit du fabricant:
TSM170N06CP
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM170N06CP-DG
Description:
60V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 60 V 38A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
13004739
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SOUMETTRE
TSM170N06CP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM170
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
1801-TSM170N06CPTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N08S2L21ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
20072
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD30N08S2L21ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.63
TYPE DE SUBSTITUT
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PRIX UNITAIRE
0.54
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