Numéro de produit du fabricant:
TSM060NB06CZ
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM060NB06CZ-DG
Description:
60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
13005108
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SOUMETTRE
TSM060NB06CZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta), 111A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6842 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
TSM060
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM060NB06CZ
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM060NB06CZ C0G
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
3970
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM060NB06CZ C0G-DG
PRIX UNITAIRE
0.73
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM70N600CP
700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER
DMP31D1U-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
SICW1000N170A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB