STWA65N65DM2AG
Numéro de produit du fabricant:

STWA65N65DM2AG

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STWA65N65DM2AG-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Inventaire:

12879300
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SOUMETTRE

STWA65N65DM2AG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5500 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
446W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 Long Leads
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STWA65

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
600
Autres noms
497-STWA65N65DM2AG
STWA65N65DM2AG-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STWA63N65DM2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
600
NUMÉRO DE PIÈCE
STWA63N65DM2-DG
PRIX UNITAIRE
7.37
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
STW65N65DM2AG
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
393
NUMÉRO DE PIÈCE
STW65N65DM2AG-DG
PRIX UNITAIRE
5.65
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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