Numéro de produit du fabricant:
STW60NE10
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW60NE10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12879150
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SOUMETTRE
STW60NE10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW60N
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-2643-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ75N10P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
3
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ75N10P-DG
PRIX UNITAIRE
2.44
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IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
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