Numéro de produit du fabricant:
STW56N65DM2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW56N65DM2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
925 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12872203
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SOUMETTRE
STW56N65DM2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4100 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW56
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-16337-5
-497-16337-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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