STW35N60DM2
Numéro de produit du fabricant:

STW35N60DM2

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STW35N60DM2-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Description détaillée:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventaire:

27 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945503
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SOUMETTRE

STW35N60DM2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2400 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
210W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW35

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
497-16356-5-DG
-1138-STW35N60DM2
497-16356-5
497-STW35N60DM2

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX48N60Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
38
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX48N60Q3-DG
PRIX UNITAIRE
17.23
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QUANTITÉ DISPONIBLE
80
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PRIX UNITAIRE
2.31
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117
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PRIX UNITAIRE
6.79
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
4.08
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PRIX UNITAIRE
28.02
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