Numéro de produit du fabricant:
STW26NM60
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW26NM60-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12877661
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SOUMETTRE
STW26NM60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MDmesh™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
135mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
313W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW26N
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-3265-5
497-3265-5-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPW60R120P7XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPW60R120P7XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.97
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