Numéro de produit du fabricant:
STW23NM60ND
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW23NM60ND-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 19.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12874492
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SOUMETTRE
STW23NM60ND Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
FDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2050 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW23N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-8454-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPW60R160C6FKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
82
NUMÉRO DE PIÈCE
IPW60R160C6FKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.22
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QUANTITÉ DISPONIBLE
15
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PRIX UNITAIRE
2.83
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PRIX UNITAIRE
3.04
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