Numéro de produit du fabricant:
STW10NK60Z
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW10NK60Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
425 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12877046
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STW10NK60Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
SuperMESH™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1370 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-3253-5
497-3253-5-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
STF6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
