Numéro de produit du fabricant:
STU6N90K5
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STU6N90K5-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventaire:
168 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12873493
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SOUMETTRE
STU6N90K5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ K5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Vgs (max.)
±30V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK (TO-251)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Numéro de produit de base
STU6N90
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
497-17076
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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