Numéro de produit du fabricant:
STU6N65K3
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STU6N65K3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
12878793
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SOUMETTRE
STU6N65K3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
SuperMESH3™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
880 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
STU6N65
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
-497-13593-5
497-13593-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPU80R1K4P7AKMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
6
NUMÉRO DE PIÈCE
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.35
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
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FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
150
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PRIX UNITAIRE
0.66
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