Numéro de produit du fabricant:
STS19N3LLH6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STS19N3LLH6-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12874108
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SOUMETTRE
STS19N3LLH6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1690 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
STS19
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
497-12677-2
497-12677-1
-497-12677-2
-497-12677-1
STS19N3LLH6-DG
497-12677-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4634DY-T1-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4811
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4634DY-T1-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.65
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.22
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