Numéro de produit du fabricant:
STP6NM60N
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP6NM60N-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12872928
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SOUMETTRE
STP6NM60N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
420 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP6N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-7530-5
1026-STP6NM60N
STP6NM60N-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB9N60APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2220
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB9N60APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.22
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PRIX UNITAIRE
1.68
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PRIX UNITAIRE
1.84
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PRIX UNITAIRE
1.19
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0.65
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