Numéro de produit du fabricant:
STP4NB100
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP4NB100-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12878891
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SOUMETTRE
STP4NB100 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
PowerMESH™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP4N
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-2647-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBG30PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4495
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBG30PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.02
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
2.08
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