Numéro de produit du fabricant:
STP200N4F3
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP200N4F3-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12880587
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SOUMETTRE
STP200N4F3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP200
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-8789-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R2-40PS,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
3473
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R2-40PS,127-DG
PRIX UNITAIRE
1.61
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