STP11NM60N
Numéro de produit du fabricant:

STP11NM60N

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STP11NM60N-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaire:

12877368
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SOUMETTRE

STP11NM60N Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP11N

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
STP11NM60N-DG
497-5887-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP10N60P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
70
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP10N60P-DG
PRIX UNITAIRE
1.73
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP8N70X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
28
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP8N70X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.74
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP11N60F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
996
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP11N60F-DG
PRIX UNITAIRE
1.38
TYPE DE SUBSTITUT
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