Numéro de produit du fabricant:
STP11NM60
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP11NM60-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
324 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12871649
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SOUMETTRE
STP11NM60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
160W (Tc)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP11
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
-497-2773-5
497-2773-5
-497-2773-5-NDR
497-2773-5-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP11N80E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
11
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP11N80E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.46
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PRIX UNITAIRE
1.21
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
2.02
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0
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PRIX UNITAIRE
0.70
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230
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PRIX UNITAIRE
2.05
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