Numéro de produit du fabricant:
STP10N80K5
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP10N80K5-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Description détaillée:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12879416
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SOUMETTRE
STP10N80K5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ K5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
635 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
130W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP7N60
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1000
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP7N60-DG
PRIX UNITAIRE
1.05
TYPE DE SUBSTITUT
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