Numéro de produit du fabricant:
STP10N62K3
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP10N62K3-DG
Description:
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
812 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12879748
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SOUMETTRE
STP10N62K3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
SuperMESH3™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
620 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1250 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
-497-9099-5
1805-STP10N62K3
497-9099-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB9N60APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2220
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB9N60APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.22
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QUANTITÉ DISPONIBLE
232
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PRIX UNITAIRE
1.12
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QUANTITÉ DISPONIBLE
70
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PRIX UNITAIRE
1.73
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
2.26
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QUANTITÉ DISPONIBLE
769
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PRIX UNITAIRE
0.60
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