Numéro de produit du fabricant:
STL7N60M2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STL7N60M2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
Description détaillée:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 4W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Inventaire:
12876225
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STL7N60M2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.05Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
271 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4W (Ta), 67W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerFLAT™ (5x5)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
STL7
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
497-16519-1
497-16519-2
497-16519-6
STL7N60M2-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STP20NM60A
MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
STU12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
STT3P2UH7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
