Numéro de produit du fabricant:
STL3N65M2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STL3N65M2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Description détaillée:
N-Channel 650 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Inventaire:
4759 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12875476
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SOUMETTRE
STL3N65M2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ M2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
155 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
22W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
STL3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
497-18738-6
497-18738-2
497-18738-1
STL3N65M2-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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