STL19N65M5
Numéro de produit du fabricant:

STL19N65M5

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STL19N65M5-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
Description détaillée:
N-Channel 650 V 2.3A (Ta), 12.5A (Tc) 2.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

Inventaire:

2408 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12876977
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SOUMETTRE

STL19N65M5 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
MDmesh™ V
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1240 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 90W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerFlat™ (8x8) HV
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
STL19

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
497-14538-6
-497-14538-1
-497-14538-2
497-14538-2
497-14538-1
STL19N65M5-DG
-497-14538-6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STB18NM80
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB18NM80-DG
PRIX UNITAIRE
2.07
TYPE DE SUBSTITUT
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