Numéro de produit du fabricant:
STL19N60DM2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STL19N60DM2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventaire:
99 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12880502
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STL19N60DM2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
320mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerFlat™ (8x8) HV
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
STL19
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
-1138-STL19N60DM2CT
497-16361-6
-1138-STL19N60DM2DKR
497-16361-1
497-16361-2
-1138-STL19N60DM2TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2210
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
STFI10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
IRF620
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
