Numéro de produit du fabricant:
STL18N65M2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STL18N65M2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Description détaillée:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Inventaire:
2970 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12878672
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STL18N65M2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ M2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
365mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
764 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerFlat™ (5x6) HV
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
STL18
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
-497-15477-1
-497-15477-2
497-15477-1
497-15477-2
-497-15477-6
497-15477-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STFI130N10F3
MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
STP13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
STF80N10F7
MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
