Numéro de produit du fabricant:
STI40N65M2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STI40N65M2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
811 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12872321
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SOUMETTRE
STI40N65M2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M2
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2355 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
STI40
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
-1138-STI40N65M2
497-15552-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI60R125CPXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
490
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI60R125CPXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
3.00
TYPE DE SUBSTITUT
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