Numéro de produit du fabricant:
STI33N60M6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STI33N60M6-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaire:
12970758
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STI33N60M6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MDmesh™ M6
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1515 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
STI33
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-STI33N60M6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STI47N60DM6AG
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
40
NUMÉRO DE PIÈCE
STI47N60DM6AG-DG
PRIX UNITAIRE
3.19
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
AOB600A70FL
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5461A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
