Numéro de produit du fabricant:
STI13NM60N
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STI13NM60N-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
12880898
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STI13NM60N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
790 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
STI13
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
-497-12258
497-12258-DG
497-12258
497-STI13NM60N
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI65R380C6XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
500
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI65R380C6XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.92
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
STI150N10F7
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
STL40N10F7
MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
STSJ25NF3LL
MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC
