Numéro de produit du fabricant:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STH80N10LF7-2AG-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Description détaillée:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventaire:
12946006
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SOUMETTRE
STH80N10LF7-2AG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
STripFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STH80
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ650N10TL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
970
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ650N10TL-DG
PRIX UNITAIRE
2.94
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PRIX UNITAIRE
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