Numéro de produit du fabricant:
STH80N10F7-2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STH80N10F7-2-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Description détaillée:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventaire:
12880707
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SOUMETTRE
STH80N10F7-2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3100 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STH80N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
-497-14980-6
497-14980-1
-497-14980-1
-497-14980-2
497-14980-2
497-14980-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA130N10T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA130N10T2-DG
PRIX UNITAIRE
2.41
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PRIX UNITAIRE
2.33
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PRIX UNITAIRE
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