Numéro de produit du fabricant:
STH272N6F7-6AG
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STH272N6F7-6AG-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Description détaillée:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventaire:
12873780
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SOUMETTRE
STH272N6F7-6AG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™ F7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
333W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-6
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
STH272
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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