Numéro de produit du fabricant:
STH260N6F6-6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STH260N6F6-6-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Description détaillée:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventaire:
12877686
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SOUMETTRE
STH260N6F6-6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-6
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
STH260
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
STH260N6F6-6-DG
497-15144-1
497-15144-2
497-15144-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB017N06N3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
9000
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB017N06N3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.54
TYPE DE SUBSTITUT
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