Numéro de produit du fabricant:
STFW3N170
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STFW3N170-DG
Description:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
Description détaillée:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventaire:
12873849
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SOUMETTRE
STFW3N170 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
PowerMESH™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Numéro de produit de base
STFW3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-16308-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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