Numéro de produit du fabricant:
STFU25N60M2-EP
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STFU25N60M2-EP-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Description détaillée:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventaire:
12879254
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SOUMETTRE
STFU25N60M2-EP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
188mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1090 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
STFU25
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024ENX
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
464
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024ENX-DG
PRIX UNITAIRE
1.57
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