Numéro de produit du fabricant:
STFH10N60M6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STFH10N60M6-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6.4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventaire:
12877191
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SOUMETTRE
STFH10N60M6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
338 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
STFH10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
920
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6009ENX
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
395
NUMÉRO DE PIÈCE
R6009ENX-DG
PRIX UNITAIRE
1.50
TYPE DE SUBSTITUT
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