Numéro de produit du fabricant:
STF7N52K3
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STF7N52K3-DG
Description:
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
Description détaillée:
N-Channel 525 V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventaire:
977 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12880313
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SOUMETTRE
STF7N52K3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
SuperMESH3™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
525 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
870 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
STF7N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-12587-5
-497-12587-5
STF7N52K3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK10A55D(STA4,Q,M)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TK10A55D(STA4,Q,M)-DG
PRIX UNITAIRE
0.87
TYPE DE SUBSTITUT
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