Numéro de produit du fabricant:
STD80N6F6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STD80N6F6-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
12880773
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SOUMETTRE
STD80N6F6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7480 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
STD80
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
497-13942-2
STD80N6F6-DG
497-13942-1
497-13942-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD90N06S4L06ATMA2
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3430
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
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0
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.77
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PRIX UNITAIRE
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