Numéro de produit du fabricant:
STD6N60DM2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STD6N60DM2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12877330
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SOUMETTRE
STD6N60DM2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
274 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
STD6N60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5P60W,RVQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
9180
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5P60W,RVQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.68
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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