STD3NM60N
Numéro de produit du fabricant:

STD3NM60N

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STD3NM60N-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventaire:

12877407
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SOUMETTRE

STD3NM60N Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
188 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
STD3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
497-13089-6
-497-13089-1
-497-13089-2
497-13089-1
497-13089-2

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SPD03N60C3ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
27364
NUMÉRO DE PIÈCE
SPD03N60C3ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.54
TYPE DE SUBSTITUT
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