STD12N60DM2AG
Numéro de produit du fabricant:

STD12N60DM2AG

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STD12N60DM2AG-DG

Description:

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventaire:

12875718
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SOUMETTRE

STD12N60DM2AG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
614 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
STD12

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
497-18151-2
497-18151-6
497-18151-1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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