Numéro de produit du fabricant:
STD11N65M2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STD11N65M2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
98 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12874404
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STD11N65M2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ II Plus
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
410 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
STD11
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
-497-15048-6
497-15048-6
497-15048-2
-497-15048-1
-497-15048-2
497-15048-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY4N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
70
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY4N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.07
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
STD13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
STF26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
