Numéro de produit du fabricant:
STB60NF10-1
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB60NF10-1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
12877126
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SOUMETTRE
STB60NF10-1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
23mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4270 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
STB60N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1805-STB60NF10-1
497-6185-5
-497-6185-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI086N10N3GXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
270
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI086N10N3GXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.69
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540ZLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
862
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540ZLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.53
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540NLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
5178
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540NLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.63
TYPE DE SUBSTITUT
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