Numéro de produit du fabricant:
STB34NM60ND
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB34NM60ND-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12874021
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SOUMETTRE
STB34NM60ND Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
FDmesh™ II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2785 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB34
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-12237-6
497-12237-2
497-12237-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB60R099CPAATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
700
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB60R099CPAATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
4.17
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PRIX UNITAIRE
2.54
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