STB30NM60ND
Numéro de produit du fabricant:

STB30NM60ND

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STB30NM60ND-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

12877631
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SOUMETTRE

STB30NM60ND Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
FDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2800 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB30N

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
497-8475-6
497-8475-2
-497-8475-1
-497-8475-2
497-8475-1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STB32N65M5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1000
NUMÉRO DE PIÈCE
STB32N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
5.37
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1229
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PRIX UNITAIRE
2.59
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1762
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
3.04
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