Numéro de produit du fabricant:
STB26NM60ND
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB26NM60ND-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12879964
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SOUMETTRE
STB26NM60ND Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
FDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1817 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB26N
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
-497-14264-1
-497-14264-2
497-14264-6
-497-14264-6
497-14264-1
497-14264-2
STB26NM60ND-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB20N60FTM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2398
NUMÉRO DE PIÈCE
FCB20N60FTM-DG
PRIX UNITAIRE
2.61
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