STB200NF04L-1
Numéro de produit du fabricant:

STB200NF04L-1

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STB200NF04L-1-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventaire:

12874757
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SOUMETTRE

STB200NF04L-1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
STB200N

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
497-6190-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRF1404LPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
6152
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF1404LPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.15
TYPE DE SUBSTITUT
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