Numéro de produit du fabricant:
STB200N6F3
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB200N6F3-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
292 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12876480
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SOUMETTRE
STB200N6F3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
STripFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
330W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB200N
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-10025-1
-497-10025-6
1805-STB200N6F3CT
497-10025-2
1805-STB200N6F3DKR
-497-10025-2
-497-10025-1
497-10025-6
1805-STB200N6F3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFS3306TRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
86
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFS3306TRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.10
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
BUK764R0-55B,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
6329
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK764R0-55B,118-DG
PRIX UNITAIRE
1.30
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
1.38
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PRIX UNITAIRE
0.92
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PRIX UNITAIRE
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