Numéro de produit du fabricant:
STB19NM65N
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB19NM65N-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
776 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12876386
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SOUMETTRE
STB19NM65N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
MDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB19N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
-497-7001-6
1805-STB19NM65NCT
497-7001-6
1805-STB19NM65NTR
497-7001-2
1805-STB19NM65NDKR
-497-7001-2
497-7001-1
-497-7001-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB65R310CFDAATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1407
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB65R310CFDAATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.29
TYPE DE SUBSTITUT
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