Numéro de produit du fabricant:
STB18NM60N
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB18NM60N-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12880359
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SOUMETTRE
STB18NM60N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1000 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB18N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-10297-6
-497-10297-6
497-10297-1
497-10297-2
-497-10297-2
-497-10297-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6015ENJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
4
NUMÉRO DE PIÈCE
R6015ENJTL-DG
PRIX UNITAIRE
1.65
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