Numéro de produit du fabricant:
STB14NM65N
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB14NM65N-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12874596
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SOUMETTRE
STB14NM65N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Digi-Reel®
Série
MDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB14N
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
1805-STB14NM65NTR
-497-7000-6
1805-STB14NM65NCT
1805-STB14NM65NDKR
497-7000-6
-497-7000-1
497-7000-1
497-7000-2
-497-7000-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STB21N65M5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1748
NUMÉRO DE PIÈCE
STB21N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
2.31
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
STL23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
STF4NK50ZD
MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
STF12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
