Numéro de produit du fabricant:
STB12NM60N-1
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB12NM60N-1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
12874313
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SOUMETTRE
STB12NM60N-1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MDmesh™ II
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
960 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
STB12N
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP11NM60ND
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STP11NM60ND-DG
PRIX UNITAIRE
1.81
TYPE DE SUBSTITUT
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PRIX UNITAIRE
2.01
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